欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
半导体的真空紫外光化学直接刻蚀研究
项目名称:半导体的真空紫外光化学直接刻蚀研究
项目类别:面上项目
批准号:69876034
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:韩正甫
依托单位:中国科学技术大学
批准年度:1998
韩正甫的项目
量子保密通信网
期刊论文 62