中文摘要：

磁电阻效应含AMR,GMR,TMR,CMR 以及OMR等电阻随磁场产生显著变化的物理现象，自从1988年发现巨磁电阻效应（GMR）以来，发展迅猛，在高密度读出磁头，磁传感器等应用中已取得显著的经济效益与社会效应，据有关信息，磁随机存储器将于2003年底推出，这将成为现在微机中所用的半导体内存有力的竞争者，其产值估计将超过一千亿美元。此外，磁晶体管等自旋器件的研制正方兴未艾，更为重要的是磁电阻效应开

结论摘要：

本项目重点探索具有高自旋极化率的新磁电阻材料，研究对象为半金属型材料，主要研究内容、进展与成果如下 1． ZnxFe3-xO4系列半金属材料的研究 对ZnxFe3-xO4的颗粒、多晶、薄膜材料的磁性、电性与组成、微结构进行了较为系统的研究，理论与实验结果表明，Zn 代换Fe后可以继续保持半金属的特性。 2． Half-Heusler类型半金属的磁性与电性的研究 对Half-Heusler 类型NiMnSb半金属的元素代换进行了研究，以Cu 代换Ni 在 x< 0.4 组成范围内磁性基本保持不变，当X＝0.9 时，铁磁性消失，电阻率显著增长。以Zn代换Ni，在X<0.6范围内，将保Half-Heusler型合金晶体结构，超出此组成将会呈现四角相ZnMnSb的结构；在X<0.6范围内磁矩基本保持不变；居里温度、磁致收缩系数在X<0.7范围内随含Zn量增加而下降. 3.Semi-metal材料－石墨的研究在高度取向的石墨片中，发现室温磁电阻效应可高达4950％而4.2K温度下可达85300％的正磁电阻效应（8.15T）