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中文摘要：
制 备 高 纯 度 、 高 稳 定 性 、高 高 迁 移 率 的 新 型 有 机分 子 材 料 和 致 密 、 高 介 电 常 数 的 绝 缘 材 料 ， 通过 各 种 技 术 制 备 高 质 量 和高 ?度 有 序 的 分 子 薄 膜。 采 用 光 刻 技 术 和 低 温 浅 角 掩 模 蒸 镀 技 术 解 决电 极 及 连 接 难 题 。 深 入 研 究 金 属 与 分 子 材 料 的界 面 问 题 。 制 备 分 子 场 效 应 晶 体 管 。 优 化 制 备工 艺 和 提 高 性 能 。 制 备 简 单 的 分 子 电 路 。 为 分子 电 子 学 的 实 现 奠 定 基 础 。
结论摘要：
场效应晶体管（FET）是通过改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件。本项目围绕分子场效应晶体管的关键科学问题开展了系统的研究，圆满地完成了任务，取得的主要结果为（1）设计、合成了一系列高迁移率材料，进行了详细的结构表征；（2）制备了高性能有机场效应晶体管，深入地研究了它们的电性能；（3）制备了简单的分子电路；（4）发现并噻吩是高迁移率分子材料的优异结构单元，其衍生物制备的场效应晶体管显示优异的稳定性；（5）发现氮掺杂的碳纳米管具有n-型导电性能，单根氮掺杂的碳纳米管制备的场效应晶体管，电子迁移率达895cm^2/Vs；（6）基于二苯并TTF二酰亚胺衍生物的场效应晶体管具有高性能，论文在《先进材料》发表后，被《自然中国》以Research Highlights形式报道。 本研究发表论文54篇，其中影响因子大于6的杂志论文19篇，授权专利7项、申请专利9项，写书4章。研究结果作为"新型光电功能分子材料与相关器件"的一部分内容，获2007年国家自然科学二等奖。
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