本项目立足于物理模型、数值模拟和实验比对,探索量子线(QWR)和量子点(QD)纳米结构的一些基本的力学和电学特性。发展了一种新颖的、独特的连续介质力学(CM)方法。结合全耦合压电分子动力学(MD)模拟,准确地模拟了Group III 氮化物材料的性质;建立了相应的数值迭代方法和通过快速多极方法(FMM)加速的边界元方法(BEM),有效地计算了强压电耦合半导体材料中的应变和压电场。研究内容包括根据热力学原理发展一个全耦合的分子动力学模型来预测依赖晶格错合(lattice misfit)量子线/点材料的性质;利用全耦合压电模型,建立快速有效的迭代方法和边界元方法用于模拟量子线/点超晶格纳米结构中的应变和压电场。本项目所获成果对更深入地研究量子线/点纳米结构的电学和光学性质提供了所需的准确数据,也将在半导体工业和应变能带工程(strain energy band engineering)技术中得到重要的应用。
英文主题词Quantum-wire/dot; Semiconductor nanostructure; Strain; Electric field; Piezoelectric coupling