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中文摘要：
超 低 介 电 常 数 材 料 (K<2.2) 将 取 代 SiO2 ， 在 0.1μm 及 以 下 的 ULSI 中 用 作 Cu 互 连 线 间 的 电 介 质 ， 能够 显 著 降 低 互 连 延 迟 ， 提 高 ULSI 速 度 。 纳 米 多孔 材 料 因 具 有 超 低 K 值 而 倍 受 瞩 目 。 用 分 子 模板 结 合 溶 胶 凝 胶 方 法 ， 制 备 有 序 分 布 的 纳 米 多孔 SiO2 和 多 孔 有 机 聚 合 物 薄 膜 材 料 ， 研 究 多 孔结 构 和 介 电 常 数 的 关 系 及 ?学 原 位 修 饰 和 等 离子 体 后 处 理 对 多 孔 薄 膜 结 构 和 性 能 的 影 ?。
结论摘要：
英文主题词ultra-low dielectric constant; nanometer material; porous thin film; Sol-Gel technology.
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