中文摘要：

GaN材料和器件的研究开发具有巨大的应用前景，基于GaN开发全固态半导体白光照明将带来一场照明革命。但是现有GaN基LED的发光功率和输出效率还不足以满足作为固态照明光源的要求，这是因为在p-GaN上实现透明低阻欧姆接触仍是未解决的科学难题。本研究项目在量产p-GaN表面制备Ni/Au欧姆接触图形电极，通过圆形传输线（CTLM）模型测量计算电极的接触电阻率。控制离子注入能量、选择适当的注入剂量，将Ⅱ族元素Zn、高功函数金属Pt的离子注入到p-GaN和Ni/Au电极的接触界面处，经过适当快速热退火处理后，成功降低了电极的接触电阻率，并提高电极的光透射率，实现了p-GaN表面高透光率、低电阻率欧姆接触的离子注入制备。在此基础上开展了p-GaN表面In2O3透明电极的制备和特性研究，在p-GaN表面成功制备出高透明的In2O3图形电极，对此电极进行Cu+、Zn+ 离子的注入实验，通过控制注入能量和剂量，在p-GaN/ In2O3接触界面处形成局域高浓度的p-型掺杂，在不降低光透射率的前提下降低接触电阻率，实现透明导电氧化物与p-GaN的低阻欧姆接触，为制备高效率GaN基LED提供新途径。