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结论摘要：
现有的高密度磁信息存贮正接近超顺磁极限，而图案化磁介质存储和热辅助磁存储是提高超顺磁极限的可选技术。本项目采用微磁学理论方法研究了磁性单元间的偶极作用与热分布对图案化介质磁化反转过程的影响，在此基础上，提出了一种新型横向耦合磁性存储单元介质并研究了其翻转机理,这种单元为自旋电子器件提供了一种新结构；采用纳米球刻蚀技术制备了图案化介质，发现在溅射方法中可通过调整氧分压的大小控制氧化物图案化介质的单元大小与间距；采用磁控溅射法制备了～100nm CoFe2O4薄膜，薄膜经过优化处理后，其垂直于膜面方向的矫顽力为10.8 kOe, 平行于膜面方向的矫顽力3.2 kOe，薄膜的饱和磁化强度约300emu/cc，同时研究了Fe3O4底层对CoFe2O4薄膜的性能影响，研究结果表明采用该底层能降低薄膜晶化温度。
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