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忆阻器的伴随忆容效应及其对忆阻电路动力学的深度影响
  • 项目名称:忆阻器的伴随忆容效应及其对忆阻电路动力学的深度影响
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:61771176
  • 项目来源:国自然科学基金
  • 研究期限:2018-01-2021-12
  • 项目负责人:王光义
  • 依托单位:杭州电子科技大学
  • 批准年度:2017
王光义的项目