中文摘要：

锰系庞磁阻氧化物和稀磁半导体有望用作自旋注入电极，其磁输运性能与磁结构密切相关。平面霍耳效应（PHE）是判定铁磁薄膜和小样品磁结构的最好方法，且最近在(Ga,Mn)As中发现了比普通铁磁金属高四个量级的PHE响应。我们用PLD方法制备外延La2/3Ca1/3MnO3薄膜。通过PHE配合其它磁电测量, 研究不同基片上LCMO薄膜的磁结构，及其随角度、温度、外场强度等量的变化关系。探讨了磁结构与磁输运性质之间的关联。研究表明LCMO薄膜在140K时表现出大于500欧姆的巨大PHE振荡。信号的温度依赖关系与电阻基本一致。随温度和外场强度的改变，样品各向异性场演化，且表现出单畴态向多畴态的转变，磁翻转模式也相应变化。通过改变薄膜生长工艺和失配应力，可一定程度上控制薄膜的畴结构，形成较大的磁自旋夹角，从而提高低场磁电阻。50K下700 Oe磁场范围内LCMO薄膜的电阻变化可达到～20％。本项目是国内外较早利用PHE研究庞磁阻薄膜磁结构的工作。项目执行期间，发表研究论文3篇，提交2篇，部分结果正在整理。目前利用PHE探讨5％Co掺杂的TiO2稀磁薄膜的工作还在进行中。