YBCO涂层导体的大规模应用依赖于其制备成本的降低,化学溶液法是制备低成本涂层导体的主要技术。本项目通过研究化学溶液法制备(001)晶面取向的CeO2缓冲层形核和生长机制,探索元素掺杂对CeO2缓冲层生长行为及裂纹形成的影响和晶格应变对CeO2缓冲层生长行为及微观组织的作用规律,建立氧空位浓度与裂纹形成的关系模型,揭示影响生成高质量CeO2缓冲层的主要因素,阐明化学溶液法制备(001)晶面取向CeO2缓冲层的稳定生长机制,达到对CeO2缓冲层的生长调控。并在此基础上研究CeO2缓冲层对超导层微观组织和超导性能的影响规律。研究结果将为低成本涂层导体的缓冲层制备提供技术基础支撑。
英文主题词coated conductors;CeO2;buffer layer;growth;tune