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氧化铈缓冲层的稳定化生长与调控机理研究
  • 项目名称:氧化铈缓冲层的稳定化生长与调控机理研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:51202201
  • 申请代码:E021101
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:金利华
  • 依托单位:西北有色金属研究院
  • 批准年度:2012
中文摘要:

YBCO涂层导体的大规模应用依赖于其制备成本的降低,化学溶液法是制备低成本涂层导体的主要技术。本项目通过研究化学溶液法制备(001)晶面取向的CeO2缓冲层形核和生长机制,探索元素掺杂对CeO2缓冲层生长行为及裂纹形成的影响和晶格应变对CeO2缓冲层生长行为及微观组织的作用规律,建立氧空位浓度与裂纹形成的关系模型,揭示影响生成高质量CeO2缓冲层的主要因素,阐明化学溶液法制备(001)晶面取向CeO2缓冲层的稳定生长机制,达到对CeO2缓冲层的生长调控。并在此基础上研究CeO2缓冲层对超导层微观组织和超导性能的影响规律。研究结果将为低成本涂层导体的缓冲层制备提供技术基础支撑。

结论摘要:

英文主题词coated conductors;CeO2;buffer layer;growth;tune


成果综合统计
成果类型
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