现代和未来电子储存环大量应用插入元件产生高品质同步辐射的同时,插入元件对储存环动力学孔径和动量孔径产生明显的影响。随着超低发射度电子储存环的发展,精确描述插入元件对储存环非线性表现的影响,对准确可靠地预测储存环表现至关重要。不同于传统基于插入元件Hamiltonian模型的描述方法,本项目研究根据三维高精度插入元件磁场计算或者测量数据,自动产生具备保辛特性的插入元件传输映射,在基础上可生成储存环动力学模型,准确高效地计算插入元件对储存环表现的影响。APPLEII波荡器常用于产生可调偏振同步辐射的插入元件之一,其磁场特性严重依赖于插入元件工作状态。储存环运行期间APPLEII变极化和变磁极间隙扫描工作过程中对稳定性产生严重影响,成为超低发射度储存环稳定工作的障碍。本项目在优化磁块排序和磁极垫补基础上,利用动态补偿线圈装置优化不同工作状态下波荡器磁场品质,消除APPLEII波荡器的负面效应。
ultralow emittance electron storage ring;insertion devices;transfer map;APPLEII undulator;dynamical compensation
现代和未来电子储存环大量应用插入元件产生高品质同步辐射的同时,插入元件对储存环动力学孔径和动量孔径产生明显的影响。随着超低发射度电子储存环的发展,精确描述插入元件对储存环非线 性表现的影响,对准确可靠地预测储存环表现至关重要。不同于传统基于插入元件Hamiltonian模型 的描述方法,本项目研究根据三维高精度插入元件磁场计算或者测量数据,自动产生具备保辛特性的 插入元件传输映射,在基础上可生成储存环动力学模型,准确高效地计算插入元件对储存环表现的影 响。APPLEII波荡器常用于产生可调偏振同步辐射的插入元件之一,其磁场特性严重依赖于插入元件 工作状态。储存环运行期间APPLEII变极化和变磁极间隙扫描工作过程中对稳定性产生严重影响,成为超低发射度储存环稳定工作的障碍。本项目在优化磁块排序和磁极垫补基础上,利用动态补偿线圈装置优化不同工作状态下波荡器磁场品质,消除APPLEII波荡器的负面效应。