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基于横向高压器件纵向化概念的新型器件结构与模型研究
  • 项目名称：基于横向高压器件纵向化概念的新型器件结构与模型研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61376080
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：乔明
  • 依托单位：电子科技大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
Ultralow turnoff loss dual-gate SOI LIGBT with trench gate barrier and carrier stored layer
A 800 V dual conduction paths segmented anode LIGBT with low specific on-resistance and small shift voltage
乔明的项目
超高压SOI器件的界面电荷岛耐压模型与新结构
期刊论文 1
SOI高压器件场控体电场降低REBULF理论与新结构
期刊论文 16 会议论文 7 专利 20