中文摘要：

本项目针对国内外广受争议的静电放电（ESD）潜在性失效问题，参考国内外对MOS器件及GaAs高频器件的相关研究结果，对高频小功率硅双极晶体管的ESD潜在性失效进行了较为系统的试验和仿真研究，验证了50%失效阈值的ESD作用就可能在高频小功率硅双极晶体管内部造成时间积累效应或事件积累效应的ESD潜在性失效，总结了ESD的作用方式、放电间隔时间、注入电压与注入次数等主要因素对ESD潜在性失效的影响作用规律，发现了ESD的双重作用，并深入分析了ESD潜在性失效的微观机制，最终提出了用CE结反向漏电流的变化来表征ESD潜在性失效的无损检测方法。 该项目的研究成果进一步揭示了当前微电子器件使用可靠性所面临的严重威胁，并应用于我国载人航天工程的静电安全性评估，在多种国内外期刊和会议上发表了10篇论文，其中EI收录6篇，培养博士研究生2名、硕士研究生2名。