位置：立项数据库 > 立项详情页
　SiC厚外延生长机理研究
  • 项目名称：　SiC厚外延生长机理研究
  • 批准号：581318
  • 项目来源：2013年度教育部科学技术研究项目
  • 研究期限：2012-07-
  • 项目负责人：张玉明
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2013
张玉明的项目
注钒(V)制备半绝缘碳化硅层的研究
期刊论文 15 会议论文 2
新型SiC基high-k介质强电导增强型高压MOSFET新结构研究
　SiC厚外延生长机理研究
　以示范性微电子学院建设为契机，探索创新人才培养和个性化教育机制
　SiC厚外延生长机理研究
　碳化硅材料外延生长机理及关键技术研究
自旋器件输运机理的研究
期刊论文 2 会议论文 4
　SiC厚外延生长机理研究
　以示范性微电子学院建设为契机，探索创新人才培养和个性化教育机制
碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究
期刊论文 29 会议论文 2 专利 14
　碳化硅材料外延生长机理及关键技术研究
HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究
期刊论文 13 会议论文 2