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中文摘要：
目前，半导体芯片上电子器件的集成数目已逐渐迫近摩尔定律的物理极限，这对信息科技的进一步发展提出了重大挑战。探索新一代电子学的各种方案成为国际上最为热门的前沿课题，正孕育着新的重大突破。关联材料中多重量子序的共存与竞争使得量子态对外场有敏感的响应。利用这一特征制备新型信息存储和传感器件是后摩尔时代新型电子技术的发展方向之一。申请人在钙钛矿功能薄膜方面有深厚的积累，在十几年的工作基础上，提出构筑钙钛矿关联电子薄膜异质结构，设计序参量在界面处的突变和外延应变来调控量子态，希望突破自然材料的限制，获得超敏的响应，甚至产生体块材料不具有的新颖磁、电现象，从而成为新一代存储和传感器件的材料基础。具体的，我们将系统研究(1)钙钛矿异质界面上的二维电子气及其调控规律，发展新型传感器件；和(2)锰氧化物反铁磁绝缘体中应变驱动的铁电性及其磁电耦合，探索新型多铁性共存与耦合。
结论摘要：
英文主题词perovskites；heterostructures；epitaxy；quantum manipulation；
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Mechanical switching of ferroelectric polarization in ultrathin BaTiO3 films: The effects of epitaxi
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