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高k材料的表面态及内部电荷对SiC MOS器件中高k/SiC能带结构的影响的基础研究
  • 项目名称：高k材料的表面态及内部电荷对SiC MOS器件中高k/SiC能带结构的影响的基础研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：61404093
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：韩锴
  • 依托单位：潍坊学院
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
Physical origin investigation of the flatband voltage roll off for metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure
改进的MOSFET制作工艺研究
Electric dipole formation at high-k dielectric/SiO2 interface
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