中文摘要：

快速准确高灵敏检测痕量硝基芳烃（如TNT、DNT、AT）对隐藏爆炸物的探测、预防恐怖犯罪和环境质量监控具有重要意义。目前，基于硝基芳烃的荧光检测多集中在可见区，易受干扰。本项目拟制备具有氨基、羧基或者磺酸基取代的Ni、Cu、Zn金属酞菁类分子修饰一维硅纳米结构的新型近红外荧光传感器，利用一维纳米结构比表面积大、灵敏度高以及酞菁类分子近红外发光对背景荧光传感器干扰性小等优点，通过对硅纳米线的形貌、尺寸和结构的优化，设计对硝基芳烃选择性识别的酞菁分子并通过共价键修饰到一维纳米结构的表面，实现对硝基芳烃高灵敏、高选择、强抗背景荧光干扰检测。通过研究揭示硅纳米线的形貌、尺寸、结构、表面态等特征与传感器灵敏度的关系，探索酞菁分子的分子结构对传感器的选择性和抗背景荧光干扰性的影响，认识传感器对检测目标光响应的光物理和光化学过程。本项目的研究结果将为硝基芳烃类隐藏炸药的超灵敏检测提供一种新的方法。