电容式RF MEMS开关介质层中电荷积累所造成的开关不可逆转的"粘连"失效是制约其大规模商业化的瓶颈。近年来,诸多学者一直致力于解决该失效问题,至今依然没有找到消除电荷积累的有效方法,甚至电荷积累的基本机制尚不清晰。本项目将以用于开关的不同介质层中电荷的生成、注入、陷定和弛豫机理作为理论攻关;研究介质掺杂种类、位置、浓度对电荷积累、微波损耗的影响,寻求最佳掺杂材料在介质中引入"复合快态",实现被陷电荷的快速自释放;设计研制双层介质膜开关结构,在保持激励电压和介质膜总厚度不变的情况下,研究厚度比对与电荷注入相关的电场、势垒、有效质量等各参数的影响,寻求最优厚度比平衡从正负两电极注入的异种电荷;设计静电斥力驱动式开关结构,避免开关处于"down"态位置时介质中产生的高电场,消除电荷积累的根源,为实现用于我国军事和商业无线通信领域的高可靠长寿命RF MEMS开关奠定理论基础和技术支撑。
英文主题词Capacitive RF MEMS switch;Reliability;Charge accumulation;;