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硅基半导体中氧及缺陷行为的符合正电子湮没谱研究
  • 项目名称：硅基半导体中氧及缺陷行为的符合正电子湮没谱研究
  • 项目类别：地区科学基金项目
  • 批准号：10564001
  • 申请代码：A0402
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：邓文
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：广西大学
  • 批准年度：2005
中文摘要：

测量单晶Si、Al、B等纯元素，不同氧含量经不同热处理工艺的单晶硅，经不同热处理工艺的二氧化硅晶体的符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱和寿命谱。研究不同氧含量不同热处理工艺的单晶硅中氧化物、缺陷、氧-缺陷复合体的形成、演化过程。研究硅和二氧化硅晶体中的微观缺陷和不同湮没态的电子密度，以及这些缺陷经不同热处理工艺后的变化。探讨氧和缺陷影响硅基半导体材料电性能的微观机理。

中文主题词： 硅基半导体;氧-缺陷复合体;正电子湮没
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成果类型
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期刊论文
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