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微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究
  • 项目名称：微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50572094
  • 申请代码：E0209
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：杨德仁
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：浙江大学
  • 批准年度：2005
中文摘要：

直拉硅单晶中微缺陷是影响现代深亚微米集成电路的主要因素之一。本课题组提出利用微量掺锗控制直拉硅单晶微缺陷的新概念，是一种具有广阔应用前景的新型硅单晶材料。在此基础上，本项目主要研究微量掺锗直拉硅单晶中的原生缺陷（Void等）行为和机理，指出原生缺陷控制和消除技术；模拟大规模集成电路热处理工艺过程，阐明微量掺锗直拉硅单晶在工艺过程中的氧沉淀行为；并指出锗对洁净区的影响作用，探索提高硅片内吸杂效果的机理。基本了解微量掺锗对直拉硅单晶杂质和缺陷的影响规律，发展具有我国自主知识产权的新技术，为微量掺锗直拉硅单晶在深亚微米集成电路上的广泛应用提供理论基础。

中文主题词： 硅单晶;氧;微缺陷;掺锗
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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  • 3
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  • 2
期刊论文
Enhancement effect of germanium on oxygen precipitation in Czochralski silicon
Micto-defects in Ge doped Czochralski grown Si crystals
Influence of germanium doping on the mechanical strength of Czochralski silicon wafers
Germanium effect on as-grown oxygen precipitation in Czochraldki silicon
Germanium effect on oxygen-related defects in Czochralski silicon
Nitrogen-doped Czochralski silicon treated in rapid thermal process
Intrinsic gettering based on rapid thermal annealing in germanium- doped Czochralski silicon
Dissolution of oxygen precipitates in germanium-doped Czochralski silicon during rapid thermal annea
Enhanced oxygen out-diffusion in silicon crystal doped with germanium
Investigation of intrinsic gettering for germanium doped Czochralski silicon wafer
Crystal originated particles in germanium-doped Czochralski silicon crystal
Ge-vacancy pair in Ge-doped Czochralski silicon
Proceeding of the 2nd Sino-German symposium on silicon “ Wiley-VCH, 2006
Proceeding of “11th international conference on Recognition, Image and Physics in Semiconductor”
直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究
会议论文
Impurity enginnering in Czochralski silicon used for ULSI
Oxygen precipitation and internal gettering in Ge doped Czochralski Si
Impurity effect on internal gettering in Czochralski silicon
著作
半导体硅材料
半导体科学与技术
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