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　半导体相变存储器
  • 项目名称：　半导体相变存储器
  • 批准号：2013CBA01900
  • 项目来源：国家重点基础研究发展计划和重大科学研究计划2013年项目
  • 研究期限：2013-07-
  • 项目负责人：宋志棠
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 11
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期刊论文
基于相变存储器的SD卡系统设计
Endurance characteristics of phase change memory cells
DOIND： a technique for leakage reduction in nanoscale domino logic circuits
The effect of oxygen plasma ashing on the resistance of TiN bottom electrode for phase change memory
操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响
带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计
Ag掺杂对Ge2 Sb2 Te5结晶行为的影响
基于二极管单元的高密度掩模ROM设计
A Phase Change Memory Chip Based on Ti Sb Te Alloy in 40-nm Standard CMOS Technology
Chemical mechanical planarization of Ge2Sb2Te5 using IC1010 and Politex reg pads in acidic slurry
相变存储器及其发展
宋志棠的项目
　C-RAM芯片关键技术研究
期刊论文 3
提高铁电红外探测器热响应的新工艺探索
高性能相变存储技术
期刊论文 11