涂层导体用金属基带表面超结构与隔离层成核机理的研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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涂层导体用金属基带表面超结构与隔离层成核机理的研究

项目名称：涂层导体用金属基带表面超结构与隔离层成核机理的研究
项目类别：面上项目
批准号：50672011
申请代码：E021101
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2007-01-01-2010-12-31

项目负责人：古宏伟
负责人职称：研究员
依托单位：中国科学院电工研究所
批准年度：2006

中文摘要：

近年来第二代高温超导带材的研究取得了突破性进展。但主要的工作集中在制备工艺的研究，针对涂层导体用金属基带的基础理论工作开展的很少。而金属基带的表面状况决定了第一层氧化物种子层在其上外延生长的好坏，种子层在金属基带表面如何形核目前尚不十分清楚，因为这一过程既有界面热力学的稳定性问题，也有动力学的问题。在本项目中，我们研究了具有立方织构的金属基带（RABiTS基带）的轧制处理、基带的抛光技术、在镍单晶、RABiTS镍基带和经过硫化处理的镍基带等衬底上制备了二氧化铈隔离层的工艺等，进行了各种分析，结果表明，具有c(2×2)的S超结构对氧化物缓冲层在Ni基带上的形核起到了很重要的作用。一方面，c(2×2)的S超结构作为模板可以很好的与氧原子所在（001）晶面相匹配；另一方面，硫元素和氧元素同属于第六主族，有相似的化学性质，已经在镍表面存在的S模板很容易使氧离子在特定的位置沉积促使（00l）外延薄膜的形核。

中文主题词：超结构；第二代超导带材；隔离层

结论摘要：

英文主题词Superstructure; 2G HTS; Buffer layer

成果综合统计