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中文摘要：
宽带隙II-VI族半导体具有优良的光电特性，把它与成熟的Si半导体工艺相结合就能够实现光电器件在Si衬底上的集成。本研究在单晶Si衬底上生长ZnO纳米线阵列，然后以纳米线为模板在其上生长CdSe/ZnSe量子点量子线。研究其生长动力学机理和光泵浦条件下该超晶格的受激发射性质。采用MOCVD方法，以ZnO纳米线为模板制备了CdS/ZnO核壳结构，CdS壳层有明显的带边发光。采用MOCVD方法和化学方法，以ZnO纳米线为模板制备ZnS，ZnSe纳米结构，并研究了其发光特性。研究了光泵浦条件下ZnO纳米线的受激发射机理，实现了ZnO光泵浦激光，其激光波长位于390 纳米。使用水热法制备出P掺杂p型ZnO纳米线，并以此为基础制备出ZnO纳米线同质pn结，观测到来自于pn结的蓝紫色电致发光。本研究紧跟国际研究热点，研究结果在相关领域处于前沿水平，对未来ZnO基超晶格受激发射的研究奠定了理论和实验基础。
结论摘要：
英文主题词ZnO;template;CdSe/ZnSe;stimulated emission
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