中文摘要：

量子线及量子点是具有量子限制效应的低维纳米结构，并有很强的器件应用前景。但是，横向有序排列的量子点阵列结构的制造一直是一个挑战。目前，实现量子点横向有序排列的一个普遍采用的方法是在刻蚀了图形衬底上的外延方法，但此方法成本高并使得量子点的光学性质恶化。在这个小额资助的研究中，我们利用分子束外延技术，在未刻蚀图形的GaAs（100）衬底上，采用量子点多层结构生长方法，通过控制应变耦合来实现量子点的横向有序排列。对于相同的InGaAs/GaAs多层结构，我们尝试了不同的生长温度及不同的V族生长背景。研究发现量子点的横向有序排列方式及大小与生长温度及生长背景密切相关，这说明不仅仅是生长的动力学，生长的运动学参数对于量子点的形貌也是有重要影响的。我们的研究结果表明，通过调节生长的运动学参数，可以在未刻蚀图形的衬底上实现明显的量子点的横向有序排列，甚至实现更为复杂的量子点横向有序排列方式。同时，我们还研究了这些具有不同形貌的量子点结构的光学性质。