中文摘要：

Chalcopyrites(类黄铜矿,简称CKP)半导体、Defect Chalcopyrites（缺陷型Chalcopyrites,简称DCKP）、以及它们的合金是最具潜质的可用于频率转换的材料之一，也是当前材料生长，实验研究的热点。本项目从第一性原理出发，使用计算机模拟材料的电子结构，缺陷特性，预测其非线性光学系数，探索和设计新的合金材料。对最近出现的一些新材料和其中的问题，开展针对性地研究，在理论方面为NLO材料的发展提供支持。其中对于ZnGeP2 材料中点缺陷的研究，我们从对称性的角度出发，给出一个悬挂健模型，讨论存在于缺陷系统的Jahn-Teller 效应，解释了EPR-ENDOR谱的实验结果。同时通过新的模型和计算，澄清了LDA理论中有关系统残留的子相互作用在缺陷计算中的影响。我们根据已知的实验和理论数据，通过第一性原理计算讨论各种可能的位相匹配后，提出有潜质的非临界位相匹配材料CdSi1-xGexAs2。同时本项目系统地研究了DCKP材料的电子结构和光学性质，并提出了修正的半经验公式估算这一组材料的体变模量。