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SiC表面石墨烯的外延生长及其界面结构的同步辐射表征
  • 项目名称：SiC表面石墨烯的外延生长及其界面结构的同步辐射表征
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50872128
  • 申请代码：E020603
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：徐彭寿
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学技术大学
  • 批准年度：2008
中文摘要：

石墨烯（Graphene）是近几年新发现的由六边形网格形成的二维碳平面材料。由于它在电学特性方面具有许多优良性质，从而在纳米电子学和自旋电子学元器件的制备以及大规模集成纳电子电路的设计中有重要应用。本课题利用我们已有的超高温分子束外延设备，使用高温退火或高温退火并辅助C束流的方法，通过控制生长条件、优化生长工艺，在SiC表面外延生长结晶性能良好、层数可控的单层或多层石墨烯样品。此外，我们还成功地探索了利用SiC缓冲层或直接沉积C原子的方法在Si、SiO2/Si、Al2O3、Cu等各种衬底表面生长石墨烯。利用各种实验技术，特别是同步辐射实验技术对制备的样品进行原位或非原位的结构表征，从而揭示石墨烯在SiC或其他衬底表面的形成和界面结构以及界面对石墨烯电子结构的影响。本课题的研究，不仅在基础研究上具有重要意义，而且在实际应用中也具有重要价值。

中文主题词： 石墨烯；碳化硅；分子束外延；界面结构；同步辐射
结论摘要：

英文主题词graphene; SiC; MBE; interface structure; synchrotron radiation

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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  • 著作
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期刊论文
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α-Al_2O_3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长
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衬底温度对Al2O3（0001）表面外延6H-SiC薄膜的影响
6H-SiC（0001）-6√3×6√3R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
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α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长
SiO2/Si衬底上石墨烯的制备与结构表征
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