采用坩埚上升法生长高质量CdZnTe单晶体研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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采用坩埚上升法生长高质量CdZnTe单晶体研究

项目名称：采用坩埚上升法生长高质量CdZnTe单晶体研究
项目类别：青年科学基金项目
批准号：60606026
申请代码：F040107
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2007-01-01-2009-12-31

项目负责人：孙士文
负责人职称：副研究员
依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
批准年度：2006

中文摘要：

为了满足大规模红外焦平面对大面积高质量碲锌镉（CdZnTe）衬底的需求，本项目提出了一种新的制备大尺寸、高质量的CdZnTe单晶体的生长方法- - 坩埚上升法。经过本项目的研究，成功的走通了工艺路线，实现了晶体与坩埚壁半接触式的生长方式，制备出了大尺寸、高质量的单晶体。制备出的晶体尺寸为Φ50mm×200mm，获得的（111）衬底尺寸达到100mm×40mm，（211）衬底尺寸达到70mm×45mm，衬底无孪晶和堆垛层错等面缺陷；位错腐蚀坑密度小于1×10E4 cm-2；主要夹杂物尺寸小于5μm，密度小于4×10E3 cm-3；红外透过率大于60%@2～15μm且平直，X-ray双晶摇摆曲线半峰宽FWHM小于20 arcoSec，X-ray貌相均匀。坩埚上升法制备的晶体的质量明显优于坩埚下降法。该生长方法既具有提拉方式的优点，又克服了坩锅下降法的缺点晶体与坩埚半接触，利于熔体对流，利用生长后的固体自然密封特性可有效控制熔体挥发。坩埚上升法尤其适合制备大尺寸的CdZnTe单晶体，并易于提高单晶体的质量。

中文主题词：碲锌镉；CdZnTe；坩埚上升法；坩埚下降法

结论摘要：

英文主题词Cadmium Zinc Telluride; CdZnTe; Vertical Bridgman Method; Crucible Ascending Method

成果综合统计