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GaN、ZnO、CdTe等宽带化合物半导体薄膜的离子注入研究
  • 项目名称：GaN、ZnO、CdTe等宽带化合物半导体薄膜的离子注入研究
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：10310401038
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：范湘军
  • 依托单位：武汉大学
  • 批准年度：2003
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