中文摘要：

本项目拟用八氰合钼(钨)和氰基被部分取代后的杂化氰基配离子为前体物，同过渡金属离子配位合成具有特殊磁性质的分子基磁性材料。其中包括（1）低维分子磁体单分子磁体和单链磁体；（2）光诱导分子磁体；（3）有较高磁相转变温度的三维氰桥分子磁体；（4）具有特殊结构表现为未知功能的分子磁体。　意义（1）低维分子磁体除显示传统磁体的行为外还表现出量子效应，有望制成更小的记忆元件和容量大、计算速度快的量子计算机；（2）利用光诱导促使磁材料的相转变同传统的热致磁体相比可以大大提高材料做成芯片后的敏感度从而加快设备的运作速度；（3）探索具有高相转变温度的分子磁体是分子磁体从基础研究走向应用的必经之路；（4）许多基于八氰合钼(钨)等的分子磁体显示了非常特别的结构，如含有大孔和大空穴的磁体可包容一些特殊客体在内，对磁体中客体的研究可能得到意想不到的结果，进而开创新的研究领域。