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纳米SOI FinFET的单粒子辐射损伤机理，可靠性表征方法与耦合模型研究
  • 项目名称：纳米SOI FinFET的单粒子辐射损伤机理，可靠性表征方法与耦合模型研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61376099
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘红侠
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 7
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期刊论文
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