中文摘要：

本项目在国内首次利用112MeVAr离子以50K低温辐照了7种非晶合金和单晶Si，通过多种分析技术研究了辐照引起的损伤效应。结果表明Ar离子的电子能损引起了非晶合金宏观可见的塑性形变，在16?0(14)/cm(2)剂量下，不同组分样品线度增长率为4-12%。运用核能损产生的缺陷有助于形变发生的新观点解释了实验结果。电子顺磁共振和红外光吸收测量表明辐照的Si中有中性四空位、双空位、非晶区域等缺陷形成，高温退火可以导致简单空位团向复杂空位团转变，且非晶区域和非晶层再结晶完全不同。简单缺陷分布在电子能损主导作用的区域，并在高剂量时趋向饱和，而非晶区域主要由核能损机制产生。本研究结果推进了电子能损效应机制的认识，具有重要学术意义。