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氮化镓高迁移率晶体管中电子场发射及太赫兹波发射的研究
  • 项目名称:氮化镓高迁移率晶体管中电子场发射及太赫兹波发射的研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60871077
  • 申请代码:F010608
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:秦华
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 批准年度:2008
中文摘要:

太赫兹(terahertz,THz)波在有机分子检测、无损成像、分子电子学、新材料研究和雷达通讯方面有重要的应用前景。然而通常产生THz波的光子学和电子学方法都存在频率不可调、或工作温度低、或体积大、或价格昂贵的严重缺点,至今还没有一个较成熟的室温工作的微型固态发射源。这一空白的填补将大幅推动THz技术的发展和应用。最近有初步研究表明室温下高电子迁移率晶体管(HEMT)中电子的弹道输运可以产生等离子体波并激发THz辐射,但是人们还没有找到发射频率、模式和效率的可控机制。本课题旨在研究利用室温HEMT实现单频和较高功率的自发辐射的可能途径。本课题将利用氮化镓优异的场发射性能,利用沟道和栅极间的场发射来激发沟道等离子体波从而产生THz波辐射;制备THz谐振腔并与HEMT耦合来实现单频和较高功率的输出。电子场发射的应用为实现可控THz发射和揭示等离子体波形成机理提供了一个新途径。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 8
  • 3
  • 4
  • 0
  • 0
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