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缺陷主导的GaN和AlN纳米线发光微观机理研究
  • 项目名称：缺陷主导的GaN和AlN纳米线发光微观机理研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11474012
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：史俊杰
  • 依托单位：北京大学
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
GaN厚膜翘曲应力特性
史俊杰的项目
氮化铟的真正带隙
氮化物半导体应变类量子点陷阱激子态和带间光跃迁
期刊论文 4
无序对InGaN量子阱/纳米线异常发光性质的影响
期刊论文 24