中文摘要：

采用超高真空扫描隧道显镜研究了硅表面的部分氧化和碳化后的电子输运性质。利用低能电子衍射和高分辨电子能量损失谱研究宽带半导体SiC表面重构、表面声子、氨自由基吸附和氮化过程。纳米晶碳化硅薄膜具有较强的蓝紫光辐射。纳米晶碳化硅薄膜也具有良好的场致电子发射特性。

结论摘要：

利用周期振荡的扫描隧道谱系统研究半导体氧化物、金属氧化物界面上电子俘获中心分布，电子在中心中的寿命以及它们间的相互作用。研究低频噪声形成的微观机制。克服背景电荷给单电子二极管集成化带来的障碍。应用扫描隧道电流诱导碳化硅纳米晶发光，探明兰移现象是由量子尺寸效应或界面态效应所引起。运用铁磁探针研究自旋极化电子输运行为。