中文摘要：

增速扩散和杂质原子析出是难于得到优良超浅结的主要原因，这两个原因都和杂原子与离子注入缺陷的相互作用有关，本项目将主要研究杂质原子与离子注入缺陷的相互作用，研究增速扩散和杂质原子析出的机理，寻找制作超浅结的方法，并为超浅结工艺模拟提供基本模型，开发适用于下一代集成电路研制的工艺模拟程序。

结论摘要：

增速扩散和杂质原子析出是难于得到优良超浅结的主要原因，这两个原因都和杂质原子与离子注入缺陷的相互作用有关。本项目主要研究杂质原子与离子注入缺陷的相互作用，研究增速扩散和杂质原子析出的机理，寻找制作超浅结的方法，并为超浅结工艺模拟提供基本模型，开发适用于下一代集成电路研制的工艺模拟程序。研究了离子注入硼在Rp缺陷的析出现象。在硼离子注入后的退火过程中形成的不可动硼峰是源于硼原子析出到Rp缺陷。析出硼原子数随Rp缺陷的分解而指数减少。其衰减时间常数随注入能量的增加而增加。析出到Rp缺陷的硼原子是电不活性的。建立了一个硼析出扩散模型。利用该模型可以很好地再现硼原子的扩散分布，解释硼原子只有一部分被激活的现象。将计算与实验结果比较，得到了硼原子的析出能。建立一个硼析出到Rp缺陷的模型对开发未来的工艺模拟程序是非常重要的。