中文摘要：

中子散射技术是研究物质结构和动力学性质的理想探针，已在众多学科领域的研究中被广泛采用。中子散射技术的其核心中子探测器大部分都是选用氦3气体探测器。近年来国际氦3气体资源严重短缺，使得新型中子探测器的研发工作成为国际热点。涂硼GEM中子探测器是新型中子探测器的重要研究方向，国内外开展了很多这方面的研究。由于涂硼GEM膜目前只有依赖进口，使得涂硼GEM中子探测器的造价非常高，这已经成为国内建造大规模中子探测器的瓶颈之一。本项目计划结合国内外研究现状，研究国产的涂硼厚GEM中子探测器，在对热中子探测效率和计数率等指标上力争达到国际先进水平。通过对于涂硼厚GEM的研究，掌握国产化厚GEM膜的涂硼工艺和关键性能参数。通过探测器的制作和性能研究，掌握中子探测器的制作以及信号和高压线的引出等关键技术。通过该项目的研究，为以后制作涂硼GEM中子探测器奠定基础，同时对提高我国中子探测技术水平也具有重要意义。

结论摘要：

中子散射技术是研究物质结构和动力学性质的理想探针，已在众多学科领域的研究中被广泛采用。中子散射谱仪核心部件中子探测器大部分选用氦3气体探测器。近年来国际氦3气体资源严重短缺，使得新型中子探测器的研发工作成为国际热点。涂硼GEM中子探测器是新型中子探测器的重要研究方向，国内外开展了很多这方面的研究。由于涂硼GEM膜目前只有依赖进口，使得涂硼GEM中子探测器的造价非常高，这已经成为国内建造大规模中子探测器的瓶颈之一。本项目结合国内外研究现状，研究开发了国产的涂硼THGEM中子探测器，掌握了小面积中子探测专用THGEM 膜的制作工艺和涂硼技术两项关键技术难点，通过探测器原理样机的制作和性能研究，掌握中子探测器的制作以及信号和高压线的引出等关键技术。通过该项目的研究，为以后进一步研发基于涂硼THGEM的中子探测器奠定基础。