位置：立项数据库 > 立项详情页
基于离子切割技术制备的绝缘体上锗(GeOI)材料缺陷的去除方法研究
  • 项目名称：基于离子切割技术制备的绝缘体上锗(GeOI)材料缺陷的去除方法研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61274105
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：张轩雄
  • 依托单位：上海理工大学
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
基于加权优化的自然场景分类方法研究
张轩雄的项目
基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究
期刊论文 1 会议论文 3