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石墨烯的偏析生长与能带调控
  • 项目名称:石墨烯的偏析生长与能带调控
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:51072004
  • 申请代码:E0206
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2011-01-01-2013-12-31
  • 项目负责人:刘忠范
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:北京大学
  • 批准年度:2010
中文摘要:

石墨烯是由碳原子以sp2杂化连接的单原子层构成的二维原子晶体,由于其独特的量子效应和电学特性,在未来的纳电子器件与集成电路、导电薄膜、柔性电子器件等领域中有重要的应用前景。本项目旨在发展石墨烯的偏析生长方法,即利用廉价金属(或合金)中所含痕量碳原子在升降温过程中的偏析行为,实现石墨烯的低成本、大面积均匀可控生长;发展石墨烯的化学修饰方法,探索石墨烯的功能化与能带调控的有效途径。在此基础上,发展石墨烯的大面积可控转移技术,制备石墨烯透明柔性导电薄膜,为制备石墨烯基电子器件奠定材料和技术基础。

结论摘要:

本项目研究的主线是金属基底上石墨烯催化生长中的偏析现象,发展了通过调控偏析过程来实现石墨烯控制生长的基本方法,这些方法包括偏析生长法、共偏析法、Cu-Ni合金偏析法、互补性二元合金催化法等,开展了石墨烯能带工程的理论和实验研究,利用化学手段(控制生长、掺杂、共价修饰石墨烯的掺杂生长、面内杂化异质结构生长、光化学共价修饰、单/双面反应)发展对石墨烯材料进行能带工程的方法,建立了多种有效使用的电子态调控方法;实现了绝对单层石墨烯、化学掺杂石墨烯及周期性褶皱石墨烯的可控生长;发展了石墨烯可控转移技术及柔性薄膜器件的加工组装技术, ,为后续构建大面积、高性能、柔性薄膜电子器件提供材料与技术基础。本项目共发表学术论文45篇,其中影响影子大于7.0的论文27篇,占论文总数的60%,包括Nature Communications 3篇、Accounts of Chemical Research 1篇、 Chem. Soc. Rev. 1篇、 J. Am. Chem. Soc. 3篇、Nano Lett. 4篇、Adv. Mater. 2篇、ACS Nano 7篇、Small 6篇。授权专利2项,申请专利3项。项目承担人员和研究生各类国际学术会议(国际、洲际和双边)21人次,其中大会或分会特邀报告5人次;参加国内学术会议26次,其中大会或分会特邀报告9人次。培养博士生9名、博士后5名。在读博士19人、在站博士后4人。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 46
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
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