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电场调制增强型AlGaN/GaN HEMT关键技术研究
项目名称:电场调制增强型AlGaN/GaN HEMT关键技术研究
项目类别:面上项目
批准号:61774114
项目来源:国自然科学基金
研究期限:2018-01-2018-12
项目负责人:段宝兴
依托单位:西安电子科技大学
批准年度:2017
段宝兴的项目
打破硅极限超低导通电阻功率器件关键技术研究
期刊论文 26