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GaAs半导体及其量子阱中电子自旋输运动力学的飞秒吸收光谱研究
  • 项目名称：GaAs半导体及其量子阱中电子自旋输运动力学的飞秒吸收光谱研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11274399
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：赖天树
  • 依托单位：中山大学
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 3
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期刊论文
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