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Si基溅射ZnO/Ga2O3膜反应自组GaN晶体膜的研究
  • 项目名称：Si基溅射ZnO/Ga2O3膜反应自组GaN晶体膜的研究
  • 项目类别：重大研究计划
  • 批准号：90301002
  • 申请代码：E02
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2004-01-01-2006-12-31
  • 项目负责人：庄惠照
  • 负责人职称：副教授
  • 依托单位：山东师范大学
  • 批准年度：2003
中文摘要：

利用射频溅射法在Si基衬底上制备纳米ZnO缓冲层后，再在缓冲层上溅射Ga2O3膜，在管式炉中通NH3，控制气体流量、炉温和时间，反应自组GaN晶体膜。并探索P型掺杂。研究膜的结构形貌及其稳定性，研究发光特性及机理，研究其电子输运特性，研究P型掺杂机理，研究纳米ZnO缓冲层的作用及Ga2O3膜反应自组GaN膜的原理，为制备GaN晶体膜材料探索新方法，为制作GaN光电子器件开辟新的工艺途径。

中文主题词： Si基衬底;纳米ZnO缓冲层;GaN晶体膜;溅射镀膜
英文摘要：

Silicon substrates;nano ZnO bu

英文主题词： Silicon substrates;nano ZnO bu
结论摘要：

利用射频溅射法在Si基衬底上制备纳米ZnO缓冲层后，再在缓冲层上溅射Ga2O3膜，在管式炉中通NH3，控制气体流量、炉温和时间，反应自组GaN晶体膜。并探索P型掺杂。研究膜的结构形貌及其稳定性，研究发光特性及机理，研究其电子输运特性，研究P型掺杂机理，研究纳米ZnO缓冲层的作用及Ga2O3膜反应自组GaN膜的原理，为制备GaN晶体膜材料探索新方法，为制作GaN光电子器件开辟新的工艺途径。

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 111
  • 6
  • 0
  • 5
  • 0
期刊论文
Recent advances in ZnO films p
RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米
Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳
Growth and characteristics of
Synthesis of single-crystal Ga
Fabrication of GaN nanorods in
Synthesis of bamboo-leaf-shape
Synthesis of GaN nanorods by A
Fabrication of GaN nanowires b
Synthesis of GaN films on poro
Sol-gel法制备GaN纳米棒的研究
GaO2H,α-Ga2O3andβ-Ga2O3 powd
花蕾状ZnO层/SiO2多孔网络复合薄
脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研
Synthesis of GaN nanorods on S
Effect of ammoniating temperat
Structral characterization of
Synthesis of three kinds of Ga
竹叶状GaN纳米带的制备
PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性
Synthesis and properties of Ga
Synthesis of one-dimensional G
Fabrication of GaN films throu
Synthesis of one-dimensional Z
氨化Si基ZnO/Ga2O3制备GaN薄膜
Fabrication of ZnO films by ra
Effect of substrate temperatur
电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和
氮化镓粉末的合成及其结构性质的
氨化磁控溅射Ga2O3/ BN薄膜制备G
氮化镓粉末的溶胶凝胶法制备及其
氮化法制备氮化锌粉末的结构和光
磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO2基质
Thermal Decomposition Behaviou
Synthesis and thermal stabilit
Fabrication of Syringe-Shaped
氮化锌粉末的制备和结构性质
Si基ZnO／Ga2O3氨化反应制备GaN
Effect of temperature on pulse
衬底温度对PLD方法生长Si(111)基
Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性
Sn掺杂ZnO纳米针的结构及其生长机制（英文）
GaN纳米棒的催化合成及其发光特性
氮化镓粉末的溶胶凝胶法制备及其结构
氨化Si基Ga2O3/Co薄膜合成GaN纳米线及其表征
氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性
氨化Si基Ga2O3／V膜制备GaN纳米线
氮化铟粉末的热稳定性
氮化铟粉末在N2气中的热稳定性
氮化锌粉末的结构和化学键状态
以磁控溅射＋自组装反应方式制备GaN薄膜
氨化磁控溅射Ga2O3／BN薄膜制备GaN纳米棒
氨化Ga2O3／Mg薄膜制备簇状GaN纳米线
退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响
钯缓冲层制备GaN纳米线及光学特性分析
氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响
Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒
氧化物缓冲层制备Si（111）基GaN纳米线
氨化Ga2O3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线
退火温度对Tb催化GaN纳米棒的影响
RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒
磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒
棒状氧化镓的合成和发光性质研究
SiC缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜的质量研究
氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响
氨化Ga2O3/Nb薄膜制备GaN纳米线
氨化Si基Ga2O3/V薄膜制备GaN纳米线
氨化温度对氨化Si基Ga2O3／Cr膜制备GaN纳米结构的影响
溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用
氨化Si基Ga2O3／In制备GaN薄膜
氨化Si基Ga2O3／Ti制备GaN纳米线
氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜
Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线
脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性
电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析
氨化Si基Ga2O3／Co薄膜制备GaN纳米线
化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒
氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究
氮化法制备氮化锌粉末的结构和光致发光性质
衬底温度对PLD方法生长Si（111）基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响
溶胶-凝胶法制备GaN颗粒
采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓
氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线
归来庄矿露天转地下安全高效开采动态调控技术研究
Synthesis and Properties of Mg-doped ZnO Nanobelts
Si基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜
以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜
高温氨化合成GaN微晶
Behaviour of Ti Based on Si （111） Substrate at High Temperature in Oxygen
Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究
脉冲激光制备ZnO薄膜的结构和光学特性
氧分压对PLD法生长Si（111）基ZnO薄膜性能的影响
Fabrication and photoluminescence of GaN nanowires prepared by ammoniating GaeO3/BN films on Si substrate
氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究
一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究
脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展
Formation of GaN Nanowires by Ammoniating Ga2O3 Films Deposited on Oxidized Al Layers on Si Substrate
Effects of Annealing Temperature on Properties of ZnO Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition
Mg3N2粉末的合成和光致发光性质研究
Synthesis and Photoluminescence of GaN Nanowires with Nb Catalyst
Synthesis of large-scale GaN nanowires by ammoniating Ga2O3 films on Co layer deposited on Si（111） substrates
会议论文
Formation of single crystal na
Synthesis of GaN ammoniating G
Fabrication of actinomorphic G
Synthesis of bamboo-shaped gal
Nano-structures and properties
Optical and micro-structural p
获奖
SiC/SiO2纳米复合薄膜和低维ZnO
脉冲激光沉积法生长硅基ZnO及特
溶胶-凝胶法制备Ga2O3反应自组形
硅基镁催化氮化镓一维纳米结构的
硅基SiC中间层辅助法合成GaN薄膜
庄惠照的项目