欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
金属单晶表面外延生长大面积高质量石墨烯及其介电插层
项目名称:金属单晶表面外延生长大面积高质量石墨烯及其介电插层
项目类别:重大项目
批准号:61390501
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:杜世萱
依托单位:中国科学院物理研究所
批准年度:2013
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
6
0
0
0
0
期刊论文
Adsorption behavior of Fe atoms on a naphthalocyanine monolayer on Ag(111) surface
Fabrication and properties of silicene and silicene–graphene layered structures on Ir(111)
Domain boundaries in silicene:Density functional theory calculations on electronic properties
Thermo-controllable self-assembled structures of single-layer 4, 4"-diamino-p-terphenyl molecules on Au (110)
Sulfur-doped graphene nanoribbons with a sequence of distinct band gaps
Characterizing silicon intercalated graphene grown epitaxially on Ir films by atomic force microscopy
杜世萱的项目
半导体二维原子晶体材料的制备与器件特性
期刊论文 4
金属金单晶表面酞菁分子的自组装与单分子物性
期刊论文 23
低维功能纳米材料结构与物性调控的研究
期刊论文 6