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　推广型III族氮化物HVPE材料生长系统
  • 项目名称：　推广型III族氮化物HVPE材料生长系统
  • 批准号：2006AA03A142
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：张荣
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 28
  • 0
  • 0
  • 0
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期刊论文
高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
GaN MOCVD生长机制的量子化学计算
MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
薄膜材料研究中的XRD技术
一维AIN纳米结构制备进展
阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理
AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究
Analysis of the anisotropy in an m-plane GaN film via HVPE on a γ-LiAlO2 substrate
推广型Ⅲ族氮化物HVPE材料生长系统
应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响
Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布
生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长
Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
张荣的项目
新型半导体量子结构与器件相关基础问题
期刊论文 257 会议论文 95 获奖 5 著作 11
　半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研究
期刊论文 41
新型低维量子结构与器件
期刊论文 196 会议论文 66 获奖 2 专利 22 著作 2
　汉斯·约纳斯哲学思想及其效应研究
期刊论文 4
高质量GaN薄膜及HVPEGaN 衬底研究
化合物半导体材料
室温铁磁半导体的制备与铁磁性研究
期刊论文 22
第一届亚太宽禁带半导体会议
新型低维量子结构与器件
期刊论文 36 著作 4
室温铁磁半导体材料及其器件应用
期刊论文 389 会议论文 158 著作 16
III族氮化物肖特基接触和场效应管研究
期刊论文 3
室温稀释磁性半导体材料和性质研究
期刊论文 18 专利 1
硅上单晶碳化硅薄膜的生长和结构研究
III族氮化物先进功能材料及新一代深紫外发光器件研究
期刊论文 5
宽禁带半导体极化诱导能带调控原理及器件应用
期刊论文 95 会议论文 29 专利 6
半导体功能量子结构相关基础问题
获奖 4