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高效GaInP/GaAs/InGaAs/Ge多结太阳能电池生长和键合制备关键技术研究
  • 项目名称：高效GaInP/GaAs/InGaAs/Ge多结太阳能电池生长和键合制备关键技术研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61376081
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：边历峰
  • 依托单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
High quality non-rectifying contact of ITO with both Ni and n-type GaAs
基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究
边历峰的项目