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高密度储能电介质陶瓷的结构调控、介电性能与击穿机制研究
  • 项目名称:高密度储能电介质陶瓷的结构调控、介电性能与击穿机制研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50872102
  • 申请代码:E0210
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:刘韩星
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:武汉理工大学
  • 批准年度:2008
中文摘要:

以脉冲功率技术小型化、高功率化对储能电介质陶瓷的要求为主要背景,基于影响电介质陶瓷储能密度的介电性能(介电常数、损耗等)、电击穿特性等因素,针对电介质陶瓷性能调控机理、电击穿机理等科学问题,开展电介质陶瓷的结构设计与调控、介电性能的影响因素与机制、电介质陶瓷电击穿机理与控制等方面研究,探索提高电介质陶瓷储能密度的新途径,为丰富电介质理论、发展脉冲功率技术提供理论基础与实验基础。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
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