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辐照及高电场应力诱发的AlGaN/GaN HEMT 器件退化机制与模型研究
  • 项目名称：辐照及高电场应力诱发的AlGaN/GaN HEMT 器件退化机制与模型研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61376076
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：胡仕刚
  • 依托单位：湖南科技大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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