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下一代MOSFET用高介电系数栅介质材料的研究
  • 项目名称：下一代MOSFET用高介电系数栅介质材料的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60576023
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘治国
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2005
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
  • 0
  • 2
  • 0
  • 0
期刊论文
高k栅介质原子分辨率的电镜表征：研究进展和展望
Challenges in Atomic-Scale Characterization of High-k Dielectrics and Metal Gate Electrodes for Advanced CMOS Gate Stacks
专利
高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法
高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法
刘治国的项目
导电氧化物/铁电体外延薄膜异质结制备及其性质的研究
热释电薄膜制备及其在红外探测与成象中应用的研究
低居里温度弛豫铁电体电致冷效应的研究
合金中扩散相变早期相变动力学的研究
激光法氧化物薄膜及异质结构制备科学
铁电极化调控铁电薄膜电子稳态输运过程的研究
期刊论文 4
纳米晶及二相金属间化合物精细结构的研究
激光法氧化物薄膜及异质结构制备科学
期刊论文 2
多元氧化物高介电系数介质材料在电荷存储器件中的应用研究
期刊论文 10 专利 5
铁电磁体和铁电-磁性微结构中磁电耦合新效应研究
期刊论文 19 获奖 2
基于新型二元相变材料的相变存储器原型器件研究
期刊论文 8 专利 1
激光法氧化物薄膜及异质结构制备科学
二维硫化物电、磁性能的调控研究