欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
硅量子点相干光激射的研究
项目名称:硅量子点相干光激射的研究
项目类别:面上项目
批准号:10174035
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:陈坤基
依托单位:南京大学
批准年度:2001
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
3
0
0
0
0
期刊论文
自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性
利用多层膜生长技术制备纳米印章模板
微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光
陈坤基的项目
第十一届复合材料及纳米工程国际会议
非晶硅合金的非线性光学特性及其器件应用
第20届国际非晶、微晶半导体会议
硅氮氧发光薄膜三能级系统的光调制、光增益和光激射研究
期刊论文 1
a-Si:H/FLC高速空间光调制器研究
19th International Conforerence Amorphous Microcrystalline...
物理、化学组装纳米线、纳米点及室温单电子器件的研究
硅单电子量子点晶体管研究
基于量子效应的硅基光电信息材料的构筑原理与新技术
期刊论文 69
会议论文 3
自组装半导体三维量子点超晶格研究
光子量子点、光子分子的原理、构建及特性研究
期刊论文 8
会议论文 3
量子尺寸效应导致的硅可见光辐射
硅基发光量子点多层膜结构的制备与微观结构
基于单电子效应的纳米硅逻辑运算器
期刊论文 60
会议论文 2
纳米硅存储器与单电子效应
半导体量子点中电子、光学和结构特性的非线性光学谱