中文摘要：

基于并五苯的新型光敏晶体管的实验研究说明，中间栅极Al有一个最佳厚度（~ 20nm）；对Al中间电极的臭氧处理表明，其表面形貌及组分对器件性能有很大影响；以Al、Ag作为中间栅极器件表现出n型特性，而Au作为中间源电极器件表现出p型特性。用不同介电材料（LiF和Cs2CO3）修饰中间Al栅极后，器件"开/关"电流比都有所提高，器件表现出n型特性；Cs2CO3修饰漏极Au的器件，其"开/关"电流比达6×102。通过AFM表征Al电极表面形貌，发现经过V2O5修饰的Al电极表面粗糙度明显降低，改善了有机半导体与金属间的界面接触。V2O5起到过渡势垒的作用，有助于载流子注入从而提高了器件性能。实验中发现，器件ITO/PVA(220nm)/Al(20nm)/Pentacene(100nm)/Al的"开/关"电流比为102，"明/暗"电流比为3×102，光响应度达0.1A/W。用开放环境高温氧化法在硅基上氧化生成氧化硅为介电层制备的器件，因其漏电流较大，界面处聚集电荷较多使得源极与半导体层之间形成的肖特基势垒易被隧穿，导致器件的源漏电流较大，并且出现了零点漂移现象。