位置：立项数据库 > 立项详情页
用离子束冶金方法研制高Ｔｃ氧化物超导薄膜
  • 项目名称：用离子束冶金方法研制高Ｔｃ氧化物超导薄膜
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：18870128
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：范湘军
  • 依托单位：武汉大学
  • 批准年度：1988
范湘军的项目
GaN、ZnO、CdTe等宽带化合物半导体薄膜的离子注入研究
第八届韩中薄膜材料研讨会
加速器—电镜联机及其在材料科学中的应用
期刊论文 65 会议论文 28
C60半导体薄膜的簇团离子束沉积制备和离子掺杂
刀具超晶格涂层的制备、硬度增强效应及其量子理论研究
期刊论文 1
GaN兰光材料的反应离化团簇束制备及离子注入研究
第十三届国际离子束材料表面改性会议
富勒烯的磁控溅射制备和离子注入效应的动态研究
ZnO单晶薄膜的RICB外延生长及其离子注入研究
期刊论文 3
离子束混合Fe-Cr基金一类金属非晶钝化膜研究